瑞砻科技股份有限公司何焱腾获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞砻科技股份有限公司申请的专利常闭式晶体管与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060089.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权常闭式晶体管与其制造方法是由何焱腾设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本常闭式晶体管与其制造方法在说明书摘要公布了：一种常闭式晶体管，是为III‑V族晶体管，其包含：缓冲层；通道层，位于通道层之上；阻障层，位于通道层之上；源极、漏极与栅极，位于阻障层之上；以及阈值电压调整层，由还原的过渡金属氧化物构成，并位于栅极之下与阻障层之上。本发明实施例的常闭式晶体管制作简单，不需要额外的蚀刻而不会造成表面损伤，也不需要额外的掺杂现有的P‑GaN闸需要掺杂。
本发明授权常闭式晶体管与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种常闭式晶体管，是为III‑V族晶体管，其包含： 一缓冲层22； 一通道层23，位于该缓冲层22之上； 一阻障层24，位于该通道层23之上； 一源极251、一漏极252与一栅极253，位于该阻障层24之上；以及一阈值电压调整层254，由还原的过渡金属氧化物构成，并位于该栅极253之下与该阻障层24之上，其中该阈值电压调整层254的一功函数大于等于6.0电子伏特。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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