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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110374512.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由华文宇;何波涌设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一区内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区，所述第一凹槽底部到第一面的距离小于隔离层的厚度；在所述第二区内形成若干开口，所述开口自第一面向第二面延伸，所述开口底部到第一面的距离大于所述第一凹槽底部到第一面的距离，且所述开口与所述第一凹槽连通；在所述第一凹槽和所述开口内形成字线栅极结构，所述字线栅极结构包括位于所述第一凹槽内的字线和位于所述开口内的字线接触。所述半导体结构形成方法，降低了工艺制造的难度，提高了字线接触的形成工艺窗口，节省了生产成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底包括相邻的第一区和第二区，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一区包括若干相互分立的有源区，相邻所述有源区之间具有隔离层，所述若干有源区沿第一方向排列，且所述若干有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直，所述第一面暴露出所述隔离层； 位于所述第一区内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区，且所述第一凹槽底部到第一面的距离小于所述隔离层的厚度； 位于所述第二区内的若干开口，所述开口贯穿所述第一衬底，且所述开口与所述第一凹槽连通； 位于所述第一凹槽和所述开口内的字线栅极结构，所述字线栅极结构包括位于所述第一凹槽内的字线，和位于所述开口内的字线接触； 所述第二面暴露出所述隔离层； 位于所述第二面的位线，所述位线沿第一方向排列，且所述位线平行于第二方向，一个有源区与一个位线电互连。

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