上海交通大学胡志宇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210836043.8，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用是由胡志宇;张帅;吴振华;刘泽昆;刘妍;施慧烈设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用，该核电池由放射性同位素层，PIN结换能器件，热电换能器件和隔离防护层组成，提高了对β射线能量的利用率。利用MEMS加工工艺实现了PIN结换能器件和热电换能器件的高集成度和微型化制备，解决了传统工艺中的界面失效问题。此外，本发明的核电池具有可模块化的特点，可以通过串联形成电源组为集成电路供电。
本发明授权一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池，其特征在于，包括从上到下依次设置的PIN结换能器件、热电换能器件，以及罩住所述PIN结换能器件和热电换能器件的隔离防护罩，所述PIN结换能器件包括高阻衬底、以及依次复合在所述高阻衬底上的下电极、PIN结换能单元和上电极，所述热电换能器件包括第二衬底、位于所述衬底上的底电极、位于所述底电极上方的顶电极，以及位于所述底电极和顶电极之间的串联结构热电柱，所述的上电极的上表面还设有放射性同位素层，所述的底电极还与上电极之间还通过内部电路连接； 所述的串联结构热电柱包括P型热电柱和N型热电柱，所述的底电极和顶电极采用分段设置，相邻的P型热电柱和N型热电柱之间通过分段的顶电极或底电极连接，并使得所有P型热电柱和N型热电柱形成串联结构； 所述的串联结构热电柱的串联结构周期数为m，m≥1； 所述PIN结换能单元与上电极和下电极形成欧姆接触。
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