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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210805503.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由何正鸿;胡彪设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括晶圆、保护层、第一电性组合层、导电柱、第二电性组合层和焊帽，导电柱的两端均形成了外凸弧面结构，使得导电柱与第一电性组合层、第二电性组合层的接触面积均得以大幅提升，从而提升了导电柱与第一电性组合层之间的结合力，同时提升了导电柱与第二电性组合层之间的结合力，提升了焊接凸块整体的结构强度。同时第一电性组合层覆盖焊盘开口，在进行微蚀刻工艺时能够缓解底部金属层产生的底切问题，进一步避免了凸块结构出现掉落的现象。

本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆的一侧设置有焊垫； 设置在所述晶圆一侧的保护层，所述保护层上设置有与所述焊垫对应的焊盘开口； 设置在所述焊盘开口中，并覆盖所述焊盘开口的第一电性组合层； 设置在所述第一电性组合层上的导电柱； 设置在所述导电柱上的第二电性组合层； 以及，设置在所述第二电性组合层上的焊帽； 其中，所述导电柱的两端分别接合在所述第一电性组合层和所述第二电性组合层的表面，所述第一电性组合层远离所述晶圆的一侧表面的至少部分以及所述第二电性组合层靠近所述晶圆的一侧表面的至少部分均呈内凹弧面，以使所述导电柱靠近所述晶圆的一侧表面的至少部分和远离所述晶圆的一侧表面的至少部分均呈外凸弧面； 所述第一电性组合层包括第一粘接层、第一阻挡层和润湿层，所述第一粘接层设置在所述焊盘开口中，并与所述焊垫接触，所述第一阻挡层覆盖在所述第一粘接层的表面，所述润湿层覆盖在所述第一阻挡层的表面，所述第一粘接层的边缘向外延伸至所述保护层的表面，并覆盖在所述焊盘开口的边缘，所述第一粘接层包括多层石墨烯结构，并具有疏水性和稳定性； 所述第二电性组合层包括第二粘接层和第二阻挡层，所述第二粘接层覆盖在所述导电柱远离所述晶圆的一侧表面，所述第二阻挡层覆盖在所述第二粘接层的表面，所述焊帽覆盖在所述第二阻挡层的表面，所述第二阻挡层用于阻挡所述焊帽和所述导电柱之间的扩散原子，所述第二粘接层用于提升所述第二阻挡层和所述导电柱之间的粘接性； 所述导电柱远离所述晶圆的一侧具有弧形凸起，所述弧形凸起的表面呈外凸弧面，且所述导电柱的边缘设置有止挡平台，所述止挡平台环设于所述弧形凸起，且所述止挡平台的表面为平坦表面，所述第二粘接层同时覆盖在所述止挡平台和所述弧形凸起上； 所述导电柱包括一体设置的基底部和延伸部，所述基底部设置在所述第一电性组合层上，所述延伸部设置在所述基底部上，且所述延伸部的宽度大于所述基底部的宽度，以使所述延伸部相对所述基底部向外延伸，所述第二粘接层覆盖在所述延伸部的表面，从而在所述导电柱的顶端形成防侧爬结构。

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