中国科学院物理研究所韩秀峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110422281.X，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件是由韩秀峰;郭晨阳;严政人;万蔡华设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例，一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括：第一自旋霍尔效应层；形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层；形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层；形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。
本发明授权磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件在权利要求书中公布了：1.一种基于磁子转移力矩Magnon Transfer Torque，MTT的磁子器件MagnonicDevice，包括： 第一自旋霍尔效应层； 形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层； 形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层； 形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层，写入时，向所述第一自旋霍尔效应层施加面内写入电流，以使所述第一铁磁绝缘层的磁矩翻转为与所述第二铁磁绝缘层的磁矩平行或反平行；以及读取时，向所述第一自旋霍尔效应层施加面内读取电流，并且检测所述第二自旋霍尔效应层上是否存在感应电流。
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