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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利多晶硅CMP负载的改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210859347.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权多晶硅CMP负载的改善方法是由董阳阳;朱普磊设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅CMP负载的改善方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶硅CMP负载的改善方法，包括：提供完成顶层多晶硅生长和CMP的半导体衬底，CMP负载效应是顶层多晶硅的顶部表面不平坦；形成硬质掩膜层，硬质掩膜层具有从底部转移来的第二台阶结构和第二凹槽；形成第二介质层；涂布形成第三材料层将第二凹槽完全填充；对第三材料层进行以第二介质层为停止层的第一次回刻；对第二介质层进行以硬质掩膜层为停止层的第二次回刻；测量位于第二凹槽侧面的第二介质层的第一高度值；以第二介质层和第三材料层为掩膜对硬质掩膜层进行刻蚀量等于第一高度值的第三次刻蚀；去除第二介质层和第三材料层。本发明能对有多晶硅CMP负载效应形成的硬质掩膜层的不平坦表面进行精确平坦化。

本发明授权多晶硅CMP负载的改善方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅CMP负载的改善方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供完成顶层多晶硅生长和CMP的半导体衬底，CMP负载效应是所述顶层多晶硅的顶部表面不平坦且在第一区域中具有较高的第一表面以及在第二区域中具有较低的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间形成有第一台阶结构，所述第二表面和两侧的所述第一台阶结构组成第一凹槽； 步骤二、在所述顶层多晶硅的表面形成硬质掩膜层，在所述硬质掩膜层的顶部表面形成有由所述第一台阶结构转移形成的第二台阶结构以及由所述第一凹槽转移形成的第二凹槽； 步骤三、在所述硬质掩膜层的顶部表面形成第二介质层，所述第二介质层的材料满足能和所述硬质掩膜层进行选择性刻蚀，所述第二介质层未将所述第二凹槽完全填充； 步骤四、采用涂布工艺在所述第二介质层的表面形成第三材料层，利用所述第三材料层在所述涂布工艺中的流动性将所述第二凹槽完全填充以及使所述第三材料层的顶部表面为平坦表面；所述第三材料层的材料满足能和所述第二介质层进行选择性刻蚀； 步骤五、对所述第三材料层进行以所述第二介质层为停止层的第一次回刻； 步骤六、对所述第二介质层进行以所述硬质掩膜层为停止层的第二次回刻； 步骤七、测量位于所述第二凹槽侧面的所述第二介质层的高度并得到第一高度值； 步骤八、以剩余的所述第二介质层和所述第三材料层为掩膜对所述硬质掩膜层进行第三次刻蚀，所述第三次刻蚀的刻蚀量等于所述第一高度值； 步骤九、去除剩余的所述第二介质层和所述第三材料层，使所述硬质掩膜层的顶部表面都暴露且平坦。

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