罗姆股份有限公司石田刚志获国家专利权
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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020822.4，技术领域涉及：H10D30/64；该发明授权半导体器件及其制造方法是由石田刚志设计研发完成，并于2021-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件1包括：基体3，其包括p型衬底4和形成在p型衬底4上的n型半导体层5，并且包含具有将n型半导体层作为漏极的晶体管40的元件区域2；以界定元件区域的方式形成在基体的表层部的p型元件分离区域7；和配置在元件区域的周缘部上且与n型半导体层电连接的导电配线25B。晶体管在元件区域的周缘部中包括形成在n型半导体层的表层部的n+型漏极接触区域14。导电配线以覆盖n+型漏极接触区域与p型元件分离区域之间的元件终端区域30的至少一部分的方式配置。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基体，其包括p型衬底和形成在所述p型衬底上的n型半导体层，并且包含元件区域，该元件区域具有将所述n型半导体层作为漏极的晶体管； 以界定所述元件区域的方式形成在所述基体的表层部的p型元件分离区域；和配置在所述元件区域的周缘部上且与所述n型半导体层电连接的导电配线，所述晶体管在所述元件区域的周缘部中包含形成在所述n型半导体层的表层部的n型漏极接触区域，所述半导体器件还包含与所述n型漏极接触区域电连接的漏极配线，所述导电配线以覆盖所述n型漏极接触区域与所述p型元件分离区域之间的元件终端区域的至少一部分的方式配置，并且以与所述漏极配线隔开间隔的方式配置，在所述元件终端区域中，在所述n型半导体层的表层部形成有所述导电配线用的n型接触区域，所述导电配线经由导电部件与所述n型接触区域电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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