台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司线怀鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115312518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110752564.0,技术领域涉及:H10D84/85;该发明授权具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置是由线怀鑫;张吉宝;周阳;周凯;孟庆超;潘磊设计研发完成,并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置在说明书摘要公布了:本申请涉及具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置。集成电路包括在第一组有源区域结构和第二组有源区域结构之间的中间有源区域结构。集成电路还包括主电路,第一组电路和第二组电路。主电路包括与中间有源区域结构相交的至少一个边界栅极导体。第一组电路包括第一组隔离结构,该第一组隔离结构将第一组有源区域结构分隔为在第一组电路中的第一部分和在第一相邻电路中的第二部分。第二组电路包括第二组隔离结构,该第二组隔离结构将第二组有源区域结构分隔为在第二组电路中的第一部分和在第二相邻电路中的第二部分。
本发明授权具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置在权利要求书中公布了:1.一种集成电路,包括: 中间有源区域结构,在第一组有源区域结构和第二组有源区域结构之间,其中,所述中间有源区域结构与所述第一组有源区域结构和所述第二组有源区域结构沿着第一方向对准; 主电路,包括: 第一边界栅极导体,在所述中间有源区域结构的第一端处与所述中间有源区域结构相交,第二边界栅极导体,在所述中间有源区域结构的第二端处与所述中间有源区域结构相交,以及相邻栅极导体,分隔开等于所述第一边界栅极导体和所述第二边界栅极导体之间的接触多晶间距CPP的间距距离; 第一组电路,包括: 第一组边界栅极导体,在所述第一组有源区域结构的第一端处与所述第一组有源区域结构相交,并与所述主电路中的第一边界栅极导体分隔开一个CPP的间距距离,以及第一组隔离结构,将所述第一组有源区域结构分隔为在所述第一组电路中的第一部分和在第一相邻电路中的第二部分,其中,所述第一组隔离结构沿着所述第一方向的宽度小于所述CPP的一半;以及第二组电路,包括: 第二组边界栅极导体,在所述第二组有源区域结构的第一端处与所述第二组有源区域结构相交,并与所述主电路中的第二边界栅极导体分隔开一个CPP的间距距离,以及第二组隔离结构,将所述第二组有源区域结构分隔为在所述第二组电路中的第一部分和在第二相邻电路中的第二部分,其中,所述第二组隔离结构沿着所述第一方向的宽度小于所述CPP的一半。
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