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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利锗硅异质结晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134826.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权锗硅异质结晶体管及其制备方法是由刘丙永设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗硅异质结晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锗硅异质结晶体管及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，在其上形成第一电介质层、赝栅和第二电介质层；形成第三电介质层；形成第一锗硅层、第二多晶硅层、第四电介质层；去除第二电介质层和第三电介质层；形成第五电介质层；去除赝栅上表面的第五电介质层、赝栅和赝栅底部的第一电介质层；在凸型沟槽的底壁形成第二锗硅层；形成第三多晶硅层。本申请首先在所述赝栅侧的衬底上形成第一锗硅层，然后在去除赝栅之后，在衬底表面形成第二锗硅层，本申请通过分段的方式在衬底表面形成锗硅外延层，大幅减少锗硅外延层经历制备其它膜层的热过程次数，从而避免了锗硅外延层中的掺杂离子的扩散，提高了锗硅异质结晶体管的电性能。

本发明授权锗硅异质结晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有第一电介质层、第一多晶硅层和第二电介质层； 刻蚀所述第二电介质层、所述第一多晶硅层以形成赝栅，其中，所述赝栅的上表面保留剩余的所述第二电介质层； 形成第三电介质层，所述第三电介质层覆盖所述赝栅的侧表面； 去除所述赝栅侧的衬底表面的所述第一电介质层； 通过选择性外延生长工艺在所述赝栅侧的衬底表面形成第一锗硅层； 形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述第一锗硅层； 形成第四电介质层，所述第四电介质层覆盖所述第二多晶硅层； 去除所述赝栅上表面的第二电介质层和所述赝栅侧表面的第三电介质层，其中，所述赝栅与所述第二多晶硅层、所述第四电介质层之间形成开口； 形成第五电介质层，所述第五电介质层填充所述开口，以及覆盖所述赝栅和所述第四电介质层； 去除所述赝栅上表面的第五电介质层、所述赝栅和所述赝栅底部的第一电介质层，其中，所述第一锗硅层、所述第二多晶硅层、所述第四电介质层和所述第五电介质层中形成凸型沟槽； 在所述凸型沟槽底壁通过选择性外延生长工艺形成第二锗硅层，所述第二锗硅层的上表面与所述第一锗硅层的上表面齐平； 形成第三多晶硅层，所述第三多晶硅层覆盖所述第五电介质层以及填充所述凸型沟槽的剩余空间； 刻蚀所述凸型沟槽侧的所述第三多晶硅层、所述第五电介质层和所述第四电介质层、所述第二多晶硅层、所述第一锗硅层至所述衬底表面，以使所述第三多晶硅层、所述第五电介质层和所述第四电介质层、所述第二多晶硅层、所述第一锗硅层的侧面构成台阶形貌。

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