华虹半导体(无锡)有限公司蔡永慧获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利晶片太鼓环宽度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210951059.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权晶片太鼓环宽度测量方法是由蔡永慧;靳耀乐;许有超;谭秀文设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片太鼓环宽度测量方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片太鼓环宽度测量方法。该晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：从太鼓环上确定一固定点；使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。该晶片太鼓环宽度测量方法，可以解决相关技术中太鼓环环宽测量不准确的问题。
本发明授权晶片太鼓环宽度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片太鼓环宽度测量方法，其特征在于，所述晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤： 从太鼓环上确定一固定点，所述固定点位于所述太鼓环的任意位置； 使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中，在所述第一图像中，所述太鼓环的内边缘显示为清晰的内边界线； 基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离； 使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中，在所述第二图像中，所述太鼓环的外边缘显示为清晰的外边界线； 基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离； 基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。
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