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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115420906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211085336.3，技术领域涉及：G01P15/08；该发明授权基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法是由刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;韩晶晶;董林玺;王高峰设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法。该硅纳米线阵列加速度计包括硅纳米线敏感单元、氮化硅薄膜、质量块、金电极以及硅基底。本发明将众多硅纳米线并联排布在两个电极之间，器件整体呈现梳齿状；在硅纳米线阵列加速度计工作时，多条硅纳米线上的信号相互叠加，使输出信号更强更稳定。本发明采用单晶硅纳米线替代传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数高，使得本发明的加速度计具有更高的灵敏度。另外，本发明制备工艺简单，成本低廉，可实现大规模制作。

本发明授权基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米线阵列的加速度计的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在SOI硅片的顶层硅表面制备氮化硅薄膜，形成介质掩膜层； S2、在介质掩膜层转移小三角形阵列图案，并刻蚀三角形处的氮化硅，以形成小三角形阵列窗口；接着对小三角形阵列窗口处的顶层硅进行干法刻蚀，制得深度相同的竖直小三角形槽，以形成小三角形阵列槽，然后去除光刻胶； S3、基于自限制热氧化工艺对小三角形阵列槽进行氧化； S4、在介质掩膜层转移大三角形阵列图案，并刻蚀三角形处的氮化硅，以形成大三角形阵列窗口；接着对大三角形阵列窗口处的顶层硅进行干法刻蚀，制得深度相同的竖直大三角形槽，以形成大三角形阵列槽，然后去除光刻胶； 其中，小三角形阵列槽与大三角形阵列槽构成以三个竖直大三角形槽围合区域的中部具有一个竖直小三角形槽为阵列单元的阵列结构； S5、对大三角形阵列槽的各竖直大三角形槽进行各向异性湿法腐蚀，形成六边形腐蚀槽阵列；其中，相邻两个六边形腐蚀槽之间形成单晶硅薄壁结构；同一阵列单元的三个六边形腐蚀槽中间出现相对的锥体结构，即质量块； S6、基于自限制热氧化工艺对硅片进行氧化后，所有单晶硅薄壁结构的顶部中央位置都形成单晶硅纳米线； S7、在硅片的适当位置刻蚀氮化硅形成方形窗口，对方形窗口硼离子注入后再进行退火，之后制作正、负电极； S8、在硅片的适当位置制作隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝； S9、去除被氧化的单晶硅薄壁结构，释放整个结构； 所述加速度计的核心结构是由氮化硅薄膜和多根硅纳米线支撑起多个质量块构成的，且整个结构呈现梳齿型； 当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块会上下移动产生位移，质量块的移动会使得硅纳米线发生形变，形变会改变硅纳米线的电导，进而造成信号的变化。

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