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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104231.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由新留彩;梶原瑛祐;藏口雅彦设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置。能够使特性稳定化。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1导电部件以及绝缘部件。第3电极的第1方向上的位置处于第1电极的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。绝缘部件包括第1氮化物区域以及第2氮化物区域。第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比。第1氮化物区域包括第1氮化物端部。第1氮化物端部与第2半导体区域相接，在第1方向上与第2氮化物区域对置。第1氮化物端部的第1方向上的位置处于第1导电端部的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1电极； 第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向； 第3电极，所述第3电极的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间； 第1半导体区域，包含Alx1Ga1‑x1N，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域及第6部分区域，从所述第1部分区域向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域向所述第2电极的方向及从所述第3部分区域向所述第3电极的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间，所述第6部分区域在所述第1方向上处于所述第5部分区域与所述第2部分区域之间，其中0≤x11； 第2半导体区域，包含Alx2Ga1‑x2N，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分及第3半导体部分，从所述第4部分区域向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，其中0x2≤1、x1x2； 第1导电部件，所述第1导电部件能够与所述第1电极及所述第3电极中的一个电极电连接，所述第1导电部件包括所述第1方向上的第1导电端部，所述第1导电端部的所述第1方向上的位置处于所述第3电极的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；以及绝缘部件，所述绝缘部件包括第1氮化物区域及第2氮化物区域，所述第2半导体部分在所述第2方向上处于所述第5部分区域与所述第1氮化物区域之间，所述第3半导体部分在所述第2方向上处于所述第6部分区域与所述第2氮化物区域之间，所述第1氮化物区域包含硅及氮，所述第2氮化物区域包含硅及氮，所述第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于所述第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比，所述第1氮化物区域包括第1氮化物端部，所述第1氮化物端部与所述第2半导体区域相接，在所述第1方向上与所述第2氮化物区域对置，所述第1氮化物端部的所述第1方向上的位置处于所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间，所述第1氮化物区域的至少一部分在所述第2方向上处于所述第2半导体部分与所述第2氮化物区域的一部分之间，所述第2电极包括第2电极端部，所述第2电极端部与所述第3半导体部分以及所述绝缘部件相接，所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置与所述第1氮化物端部的所述第1方向上的所述位置之间的沿着所述第1方向的第1距离相对于所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极端部的所述第1方向上的所述位置之间的沿着所述第1方向的第2距离之比是0.15以上且0.96以下，所述第1方向为平行基板方向，所述第2方向为垂直基板方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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