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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十六研究所申请的专利高带外抑制的分离式介质滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211283885.1，技术领域涉及：H01P1/212；该发明授权高带外抑制的分离式介质滤波器是由韦俊杰;段志奇;冯小东;蒋廷利;马睿;张心逸设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本高带外抑制的分离式介质滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高带外抑制的分离式介质滤波器，包括陶瓷电容片，所述陶瓷电容片的下方沿陶瓷电容片的长度方向顺序设置有若干介质谐振器；所述陶瓷电容片的底面对应每一介质谐振器分别设置有一底面金属电极片，每一介质谐振器分别通过一连接针与对应的底面金属电极片连接；所述陶瓷电容片的顶面设置有两个输入输出电极，位于所述输入输出电极下方的两个介质谐振器与相邻的介质谐振器之间形成有指定频率的传输零点。本发明中，通过在输入输出谐振器与相邻的传输谐振器之间形成指定频率的传输零点，使滤波器高频部分的带外出现了传输零点，能够减少分离式介质滤波器的阶数，从而减小谐振器数量，并减小滤波器体积和损耗，提升应用效果。

本发明授权高带外抑制的分离式介质滤波器在权利要求书中公布了：1.一种高带外抑制的分离式介质滤波器，其特征在于：包括陶瓷电容片，所述陶瓷电容片的下方沿陶瓷电容片的长度方向顺序设置有若干介质谐振器，且相邻的介质谐振器之间留有间隙；所述陶瓷电容片具有顶面以及与顶面相对的底面，所述陶瓷电容片的底面对应每一介质谐振器分别设置有一底面金属电极片，所述底面金属电极片用于实现相邻的介质谐振器的容性耦合，每一介质谐振器分别通过一连接针与对应的底面金属电极片连接，所述连接针为金属材料的圆柱体；所述陶瓷电容片的顶面设置有两个输入输出电极，两个所述输入输出电极分别位于两侧的底面金属电极片的上方；位于所述输入输出电极下方的两个介质谐振器为输入输出谐振器，其余的介质谐振器为传输谐振器，在所述输入输出谐振器与相邻的传输谐振器之间形成有指定频率的传输零点； 所述介质谐振器包括方形的介质本体，所述介质本体的上端面为开路面，所述介质本体的下端面及四个侧面均覆盖有金属化层，所述介质本体上设置有贯穿其上端面和下端面的谐振通孔，所述谐振通孔的孔壁覆盖有金属化层； 所述输入输出谐振器的介质本体朝向相邻介质谐振器的侧面为感性耦合面，所述感性耦合面上设置有开窗区域，所述开窗区域位于感性耦合面的底部；所述开窗区域未覆盖金属化层；所述开窗区域用于实现输入输出谐振器与相邻的介质谐振器之间的感性耦合；所述传输谐振器的介质本体的下端面及四个侧面均整体覆盖有金属化层，未形成开窗区域； 各个谐振器的电场能量主要集中在其顶部开路端；谐振器的磁场能量主要集中在其底部；电场能量对应于电路中的电容C1，磁场能量对应于电路中的电感L1，当两个谐振器之间同时有电场和磁场传递时，传递的总能量是两者之差的绝对值；并且两者是并联关系，根据并联电路谐振频率计算公式： F=2πLCe0.5L1和C1共同形成一个谐振电路，并形成指定频率的传输零点，从而实现增加带外抑制的效果。

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