中国科学院微电子研究所朱慧珑获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利带侧墙的C形沟道部半导体器件及其制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211133997.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权带侧墙的C形沟道部半导体器件及其制造方法及电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本带侧墙的C形沟道部半导体器件及其制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种带侧墙的C形沟道部半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上的沟道部，沟道部包括截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的第一源漏部和第二源漏部；沟道部的相对两侧的第一栅堆叠和第二栅堆叠；第一侧墙，分别介于第一栅堆叠与第一源漏部之间以及第一栅堆叠与第二源漏部之间；以及第二侧墙，分别介于第二栅堆叠与第一源漏部之间以及第二栅堆叠与第二源漏部之间。
本发明授权带侧墙的C形沟道部半导体器件及其制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底上的沟道部，所述沟道部包括截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线； 相对于所述衬底分别处于所述沟道部的上下两端的第一源漏部和第二源漏部； 所述沟道部的相对两侧的第一栅堆叠和第二栅堆叠，所述第一栅堆叠和所述第二栅堆叠各自包括栅介质层和栅导体层； 第一侧墙，分别介于所述第一栅堆叠的栅介质层与所述第一源漏部之间以及所述第一栅堆叠的栅介质层与所述第二源漏部之间；以及第二侧墙，分别介于所述第二栅堆叠的栅介质层与所述第一源漏部之间以及所述第二栅堆叠的栅介质层与所述第二源漏部之间。
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