联华电子股份有限公司江俊松获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利接合半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776523.5，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权接合半导体结构及其制作方法是由江俊松;刘家玮;陈昱瑞;林毓翔设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种接合半导体结构及其制作方法，其中该接合半导体结构包括第一元件晶片以及第二元件晶片。第一元件晶片包括第一介电层、设置在第一介电层中的第一接合垫，以及设置在第一介电层上的第一接合层。第二元件晶片包括第二介电层、设置在第二介电层上并且与第一接合层接合的第二接合层，以及设置在第二介电层中并且穿过第二接合层及至少部分第一接合层的第二接合垫。第一接合垫与第二接合垫之间包括导电接合界面，第一接合层与第二接合层之间包含介电接合界面，其中导电接合界面与介电接合界面之间包括一阶梯差。
本发明授权接合半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种接合半导体结构，包括: 第一元件晶片，包括: 第一介电层； 第一接合垫，设置在该第一介电层中；以及第一接合层，设置在该第一介电层上；以及第二元件晶片，设置在该第一元件晶片上并且包括: 第二介电层； 第二接合层，设置在该第二介电层上并且与该第一接合层接合；以及第二接合垫，设置在该第二介电层中，穿过该第二接合层以及至少部分该第一接合层且与该第一接合垫接合，其中该第一接合垫与该第二接合垫之间的导电接合界面以及该第一接合层与该第二接合层之间的介电接合界面包括阶梯差。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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