上海积塔半导体有限公司庄望超获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311574.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法是由庄望超;石强设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法。所述外延层的去除方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。衬底上形成有金属结构及外延层，金属结构位于外延层内，相同条件下湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，不会对金属结构造成严重破坏，可以改善衬底正面的外延层出现异常时，没有较好的去除外延硅的方式的问题。
本发明授权外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种外延层的去除方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内； 在后段工艺制程中，位于所述衬底正面的所述外延层出现异常时，采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；其中，所述外延层包括硅外延层，所述湿法腐蚀溶液包括蚀刻后残留物去除液；所述蚀刻后残留物去除液包括乙醇胺、异丙醇胺、羟胺、邻苯二酚及2‑2‑胺基乙氧乙醇；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。
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