东曹株式会社原浩之获国家专利权
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龙图腾网获悉东曹株式会社申请的专利Cr-Si-C系烧结体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115667182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037179.6，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权Cr-Si-C系烧结体是由原浩之;召田雅实;增田彩花设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本Cr-Si-C系烧结体在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供包含铬Cr、硅Si、碳C的高密度的Cr‑Si‑C系烧结体，进一步提供高密度的Cr‑Si‑C系烧结体、包含其的溅射靶及使用该溅射靶的膜的制造方法中的至少任一者。根据本发明，能够提供一种Cr‑Si‑C系烧结体，具有，其为包含铬Cr、硅Si、碳C的Cr‑Si‑C系烧结体，烧结体的相对密度为90％以上且孔隙率为13％以下的特征。
本发明授权Cr-Si-C系烧结体在权利要求书中公布了：1.一种Cr‑Si‑C系烧结体，其特征在于，其为包含铬Cr、硅Si、碳C的Cr‑Si‑C系烧结体，烧结体的相对密度为90%以上且孔隙率为13%以下，所述Cr‑Si‑C系烧结体包含CrSi和选自碳化铬、碳化硅和碳中的1种以上，CrSi在烧结体中所占的质量比例超过50wt%，烧结体中的碳的含量为1~20wt%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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