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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种半导体沉积腔残留物的清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242734.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种半导体沉积腔残留物的清洁方法是由洪加添;李刚;何勇;翁晓佩设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体沉积腔残留物的清洁方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种半导体沉积腔残留物的清洁方法，包括如下步骤：S3：设定沉积腔腔压160‑200Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳并进行电离；S4：设定沉积腔腔压40‑60Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳；S5：设定沉积腔腔压160‑200Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳。本发明的有益效果在于：设定四氟化碳和SiO2的不同反应条件使SiO2被反应的更充分。四氟化碳不同流速、以不同强度冲击进气孔上的SiO2，都能使SiO2以不同的形式被消耗；另外，在四氟化碳流速以及冲击力的两次变化，形成四氟化碳流速突变的突变气流，突变气流能使SiO2被反应的更充分。

本发明授权一种半导体沉积腔残留物的清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体沉积腔残留物的清洁方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：对沉积腔进行多次有氧电离；所述有氧电离的同时设定沉积腔腔压80‑200Pa，同时向沉积腔内通入四氟化碳和氧气； 所述S1的“对沉积腔进行多次有氧电离”具体为：对沉积腔进行2次有氧电离； 所述S1的“对沉积腔进行2次有氧电离”具体为：第一次有氧电离设定沉积腔腔压100Pa，第二次有氧电离设定积腔腔压180Pa；每次有氧电离持续1000‑1400S，每次的电离功率为400‑600W； 所述S1的“向沉积腔内通入四氟化碳和氧气”具体为：向沉积腔内通入800‑1200sccm的四氟化碳和200‑300sccm氧气； S2：排出沉积腔内的氧气； S3：设定沉积腔腔压160‑200Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳并进行电离； S4：设定沉积腔腔压40‑60Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳； S5：设定沉积腔腔压160‑200Pa，通入400‑600sccm的四氟化碳； 在所述S1前，需要设定沉积腔腔压100Pa，通入200‑300sccm的氧气和800‑1200sccm的四氟化碳，持续10‑20S； 所述S3、S4和S5循环2‑4次。

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