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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211524773.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法是由邹声斌;刘恒山;马昆旺设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法；S2：设定反应腔温度1000‑1100度，压力250‑350mbar，通入氨气、氢气、300‑400sccm的TMGa2和100‑200sccm的二茂镁；持续6‑9分钟；使buffer层上形成掺杂U型GaN层；S3：设定反应腔压力250‑350mbar，温度1100‑1300度，通入氮气、氢气、氨气和TMGa2；持续4‑5分钟，使掺杂U型GaN层上形成不掺杂U型GaN层；本发明的有益效果在于：所述GaN基外延层相比于常规的LED芯片的外延层降低了0.2‑0.28V左右的工作电压；抗静电能力比常规LED结构增加了20％‑30％，亮度比常规LED结构提升5％‑15％。

本发明授权一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法在权利要求书中公布了：1.一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将AlN衬底放入金属有机物化学气相沉积设备的反应腔；使衬底上生长出buffer层； S2：设定反应腔温度1000‑1100度，压力250‑350mbar，通入氨气、氢气、300‑400sccm的TMGa2和100‑200sccm的二茂镁；持续6‑9分钟；使buffer层上形成掺杂U型GaN层； S3：设定反应腔压力250‑350mbar，温度1100‑1300度，通入氮气、氢气、氨气和TMGa2；持续4‑5分钟，使掺杂U型GaN层上形成不掺杂U型GaN层； S4：在不掺杂U型GaN层上生长2‑3微米的N型GaN层； S5：在N型GaN层上生长量子阱层； S6：在量子阱层上生长P型GaN层； S7：完成GaN基外延层的生长。

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