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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211475432.9，技术领域涉及：H02M3/156；该发明授权一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路是由励勇远;陈俊英;过伟;朱光前;钱利波;朱樟明设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路，包括：对称双NMOS管开关，包括两个N型晶体管，两个N型晶体管的栅极、源极分别相连接，两个N型晶体管的漏极分别作为高压信号的输入端；浮动电源轨生成模块，连接对称双NMOS管开关中两个N型晶体管的源极，用于跟踪动态高压信号的幅度生成浮动电源轨；LevelShift电平转换模块，连接浮动电源轨生成模块和对称双NMOS管开关中两个N型晶体管的栅极，用于将输入的低电源轨0V～5V对应的数字控制信号转换为浮动电源轨对应的模拟控制信号以控制对称双NMOS管开关的导通与关断。本发明确保薄栅氧化层MOS管开关在传输动态高压信号时处于安全耐压范围。

本发明授权一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于薄栅氧化层工艺的动态高压信号传输开关电路，其特征在于，包括对称双NMOS管开关、LevelShift电平转换模块和浮动电源轨生成模块，其中，所述对称双NMOS管开关，包括两个N型晶体管，两个N型晶体管的栅极、源极分别相连接，两个N型晶体管的漏极分别作为动态高压信号的输入端； 所述浮动电源轨生成模块，连接所述对称双NMOS管开关中两个N型晶体管的源极，用于跟踪所述动态高压信号的幅度生成浮动电源轨； 所述LevelShift电平转换模块，连接所述浮动电源轨生成模块和所述对称双NMOS管开关中两个N型晶体管的栅极，用于将输入的低电源轨0V~5V对应的数字控制信号转换为所述浮动电源轨对应的模拟控制信号，以控制所述对称双NMOS管开关的导通与关断； 其中，所述浮动电源轨生成模块包括运算放大器A1、电流源S、N型晶体管N1、N型晶体管N2、浮动电源轨电压输出电路，其中，所述运算放大器A的正相输入端与所述对称双NMOS管开关连接，所述运算放大器A的反相输入端与所述N型晶体管N2的漏极、所述浮动电源轨电压输出电路、所述浮动电源轨生成模块的第一输出端连接，所述运算放大器A的输出端与所述浮动电源轨电压输出电路连接、所述浮动电源轨生成模块的第二输出端连接，所述N型晶体管N2的源极、所述N型晶体管N1的源极均接电源HVEE，所述N型晶体管N2的栅极与所述N型晶体管N1的栅极、所述N型晶体管N1的漏极、所述电流源S的输出端连接，所述电流源S的输入端接电源HVDD。

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