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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种微型变刚度悬臂梁结构、制备方法及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115856360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211538548.2，技术领域涉及：G01Q60/38；该发明授权一种微型变刚度悬臂梁结构、制备方法及传感器是由苗斌;李加东;徐瞻;顾智琦设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型变刚度悬臂梁结构、制备方法及传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微型变刚度悬臂梁结构、制备方法及传感器，本发明本发明微型变刚度悬臂梁的制备方法可实现变刚度悬臂梁结构的精确制备，可通过调节前后悬臂梁结构的尺寸来调节刚度，以调节完整悬臂梁结构的动态检测范围和灵敏度，可以有效解决现有技术中仅通过改变单级悬臂梁的尺寸无法实现光反射式传感器灵敏度与量程两项指标的双提升的问题。通过本发明中的微纳加工方式可实现变刚度微悬臂梁的微型化、按需可控制备，进一步拓宽了悬臂梁传感器的应用范围并为光反射式传感器微型化奠定坚实基础。本发明可通过改变现有变刚度悬臂梁结构，如在悬臂顶部制备针尖结构，进一步拓展应用范围。

本发明授权一种微型变刚度悬臂梁结构、制备方法及传感器在权利要求书中公布了：1.一种微型变刚度悬臂梁的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供一双埋层SOI基底； S2、在所述双埋层SOI基底上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行光刻； S3、将所述第一光刻胶层作为保护层，对所述双埋层SOI基底进行刻蚀以制备出前端悬臂梁结构，并去除所述第一光刻胶层； S4、提供一硅片，将所述硅片与所述前端悬臂梁结构键合； S5、将所述双埋层SOI基底的底部减薄至所述前端悬臂梁结构下方的氧化硅层； S6、在所述硅片上制备第一氮化硅层，在所述前端悬臂梁结构下方的氧化硅层背面制备第二氮化硅层； S7、在所述第一氮化硅层上形成第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层进行光刻； S8、将所述第二光刻胶层作为保护层，将所述第一氮化硅层和硅片腐蚀至所述双埋层SOI基底顶部的氧化硅层以制备出后端悬臂梁结构和悬臂梁支撑结构，并去除所述第二光刻胶层；所述后端悬臂梁结构的刚度高于所述前端悬臂梁结构的刚度，所述后端悬臂梁结构的厚度大于所述前端悬臂梁结构的厚度； S9、去除掉所述前端悬臂梁结构下方的氧化硅层、所述后端悬臂梁结构上方的氧化硅层和所述硅片上剩余的氮化硅层，完成悬臂梁的释放，形成完整悬臂梁结构； S10、在所述完整悬臂梁结构上沉积金属反射层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215125 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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