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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211606157.X，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法是由贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高ESD的MiniLED的外延结构生成方法，包括如下步骤：S2：在多量子阱有源区层上生长的第一静电释放层，在第一静电释放层上生长第二静电释放层，在第二静电释放层上生长第三静电释放层；所述第二静电释放层的Mg掺杂浓度为1.1‑5E+16atomcm3，第一静电释放层的Mg掺杂浓度是第三静电释放层Mg掺杂浓度的1.1‑5倍，第二静电释放层的Mg掺杂浓度是第一静电释放层的Mg掺杂浓度的0.1％‑2％；本发明的原理或有益效果说明：由于MiniLED相比于常规LED尺寸减小的情况下，ESD性能显得尤为重要，本发明提供的高ESD的MiniLED的外延结构生成方法，能显著的提高MiniLED的ESD性能。

本发明授权一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法在权利要求书中公布了：1.一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将衬底放入金属有机物化学气相沉积设备的反应腔内，在衬底上依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层和多量子阱有源区层； S2：向反应腔通入NH3、TMGa和Cp2Mg； 在生长气氛均为H2的情况下，控制Cp2Mg的即时通入量，使多量子阱有源区层上生长的第一静电释放层，在第一静电释放层上生长第二静电释放层，在第二静电释放层上生长第三静电释放层； 所述第二静电释放层的Mg掺杂浓度为1.1‑5E+16 atomcm3，第一静电释放层的Mg掺杂浓度是第三静电释放层Mg掺杂浓度的1.1‑5倍，第二静电释放层的Mg掺杂浓度是第一静电释放层的Mg掺杂浓度的0.1%‑2%； S3：在第三静电释放层上依次生长P型电子阻挡层和P型GaN层；完成高ESD的Mini LED的制备； 所述S2具体为： 设定反应腔700‑950℃的温度，压力300‑800mbar，向反应腔通入55000‑65000sccm的NH3、25‑50sccm的TMGa和Cp2Mg； 在生长气氛均为H2的情况下，控制Cp2Mg的即时通入量，使多量子阱有源区层上生长20‑40nm的第一静电释放层，在第一静电释放层上生长10‑30nm第二静电释放层，在第二静电释放层上生长10‑30nm第三静电释放层。

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