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龙图腾网获悉南通威斯派尔半导体技术有限公司申请的专利一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115958263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211682013.2，技术领域涉及：B23K1/00；该发明授权一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法是由刘晓辉;谢继华设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片的表面，使得活性焊料均匀涂布至陶瓷片的表面，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层；S3.将预先准备好的无氧铜箔贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片的表面，将无氧铜箔定位；S4.在无氧铜箔的框边使用软垫进行覆盖，在钎焊前以承烧板作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊；S5.形成高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，本发明杜绝焊料溢出，大大增加了内部焊料厚度。

本发明授权一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，其特征在于，具体步骤包括： S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片1，所述陶瓷片1作为活性钎料涂层的界面； S2.将活性钎料丝印至陶瓷片1的表面，使得活性焊料均匀涂布至所述陶瓷片1的表面，通过预烘工艺处理，排胶将活性钎料中的有机物进行排出，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层2； S3.将预先准备好的无氧铜箔3贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片1的表面，将无氧铜箔3定位； S4.在无氧铜箔3预组合后，在无氧铜箔3的框边使用软垫4进行覆盖，在钎焊前以承烧板作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊，钎焊过程中实现无氧铜箔3、活性焊料层2和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合； S5.在受到同等压力下，无氧铜箔3边缘四周的压强会由增加的软垫4厚度而增强，所述无氧铜箔3的中心区压强会相对低一些，从而使得液化的焊料不易流出至无氧铜箔3与陶瓷片1的界面层，形成一个高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，从而杜绝焊料溢出。

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