广东省大湾区华南理工大学聚集诱导发光高等研究院唐本忠获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区华南理工大学聚集诱导发光高等研究院申请的专利一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310035332.2，技术领域涉及：A01G31/00；该发明授权一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置是由唐本忠;郭锋;陈伟才;刘勇;王志明;晏晓东设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置；所述水培方法包括：定植器内的矿物岩表面放置种子，营养池中加水培养至植株长出第二片真叶；所述矿物岩的粒径为1‑6mm；加入营养液培养至植株长出第四片真叶；第一周加入EC＝0.4～0.6的培养液培养，第二周加入EC＝0.6～0.8的培养液培养，第三周加入EC＝1.0～1.2的培养液培养，之后加入EC＝1.4～1.6的培养液培养。本发明通过对营养液营养元素浓度进行有效的调节和缓冲，达到营养液浓度精准控制，创造植物生长与绿藻繁殖对营养液的竞争关系，从而既可以满足作物生长需求，又同时防止绿藻大量繁殖。
本发明授权一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置在权利要求书中公布了：1.一种具有营养液缓冲系统的水培方法，采用水培装置，所述水培装置包括营养池、定植架和矿物岩，所述定植架由多个特制的定植器固定于同一平板上而成，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 定植器内的矿物岩表面放置种子，营养池中加水培养至植株长出第二片真叶；所述矿物岩为粒径1mm的蒙脱石和粒径4mm的膨胀珍珠岩； 将定植架置于营养池内，并在定植器内填充矿物岩深度为3cm，将种子放到矿物岩表面，向营养池加清水至与矿物岩表面齐平，每隔三天补一次水保持水面与矿物岩表面齐平； 待植株长出第二片真叶时，需向营养池添加EC值为0.8的营养液100ml；植株长出第四片真叶时使用营养液培育，营养液与矿物岩表面齐平，第一周：EC=0.4，第二周：EC=0.6，第三周： EC=0.8，第四周以后：EC=1.0；培养4周，植物生长状态良好，不滋生绿藻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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