长江存储科技有限责任公司王言虹获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116058091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002867.9，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器器件及其形成方法是由王言虹;刘威;陈亮;夏志良;周文犀;张坤;杨远程设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种三维3D存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵列与第一外围电路之间的多晶硅层、以及与第一晶体管接触的第一半导体层。多晶硅层与NAND存储器串阵列的源极接触。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的第二外围电路以及与第二晶体管接触的第二半导体层，该第二外围电路包括第二晶体管。第二半导体层在键合界面与第二半导体层之间。多晶硅层在第一半导体层与第二半导体层之间。
本发明授权三维存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器器件，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括： NAND存储器串阵列； 所述NAND存储器串阵列的第一外围电路，所述第一外围电路包括第一晶体管； 多晶硅层，所述多晶硅层在所述NAND存储器串阵列与所述第一外围电路之间，所述多晶硅层与所述NAND存储器串阵列的源极接触；以及第一半导体层，所述第一半导体层与所述第一晶体管接触； 第二半导体结构，所述第二半导体结构包括： 所述NAND存储器串阵列的第二外围电路，所述第二外围电路包括第二晶体管；以及第二半导体层，所述第二半导体层与所述第二晶体管接触；以及键合界面，所述键合界面在所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间，其中，所述第二晶体管在所述键合界面与所述第二半导体层之间；以及所述多晶硅层在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。
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