上海积塔半导体有限公司冷国庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利光刻工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092939.4，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权光刻工艺方法是由冷国庆;邢会锋;尹静娟;陈倩设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光刻工艺方法，包括：提供一半导体衬底；所述半导体衬底的第一表面上设有位于对准标记区的对准标记图案，以及位于器件区的外延层；在所述器件区覆盖光刻胶层，并露出位于所述对准标记区的所述对准标记图案；基于所述对准标记图案，借助所述光刻胶层图案化所述外延层。上述光刻工艺方法，通过在器件区覆盖光刻胶层，并露出位于对准标记区的对准标记图案，以使对准标记图案能够显露出来，并用于对准，从而提高位于器件区的外延层的图案化的精度，也就是提高预设目标图形的套刻精度，以保证器件的良好性能。如此，即使外延层的厚度超过5微米，由于对准标记图案在图案化外延层之前就已经显露出来了，预设目标图形也不会出现套刻偏差。
本发明授权光刻工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻工艺方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底；所述半导体衬底的第一表面上设有位于对准标记区的对准标记图案，以及位于器件区的外延层； 在所述器件区覆盖光刻胶层，并露出位于所述对准标记区的所述对准标记图案； 基于所述对准标记图案，借助所述光刻胶层图案化所述外延层； 所述提供一半导体衬底，具体包括： 在半导体衬底的第一表面上形成对准标记图案； 通过热生长工艺在所述半导体衬底的第一表面上形成所述外延层； 通过刻蚀工艺去除对准标记图案上的外延层，以使所述外延层位于所述器件区。
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