长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111308714.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底；在基底上形成初始有源层和第一掩膜层；图形化第一掩膜层，以在第一掩膜层内形成多个第一凹槽和多个第二凹槽，第一凹槽沿第一方向的尺寸大于第二凹槽沿第二方向的尺寸；去除暴露在第一凹槽内的初始有源层，以及去除暴露在第二凹槽内部分厚度初始有源层，以形成多个有源柱，其中，位于同一第二方向上的数个有源柱的底部连接在一起。本申请通过使沿同一第二方向上数个有源柱的底部连接在一起，并将该同一第二方向上的数个有源柱的底部作为一条位线，这样可以保证同一第二方向上数个有源柱上电压的稳定性，进而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下的步骤： 提供基底； 在所述基底上形成依次层叠设置的初始有源层和第一掩膜层； 图形化所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层内形成多个第一凹槽和多个第二凹槽，多个所述第一凹槽沿第一方向间隔设置，且每个所述第一凹槽沿第二方向延伸，多个所述第二凹槽沿所述第二方向间隔设置，且每个所述第二凹槽沿所述第一方向延伸，其中，所述第一方向与所述第二方向相交，且所述第一凹槽沿所述第一方向的尺寸大于所述第二凹槽沿所述第二方向的尺寸； 去除暴露在所述第一凹槽内的初始有源层，以及去除暴露在所述第二凹槽内部分厚度所述初始有源层，以形成呈阵列排布的多个有源柱，其中，位于同一第二方向上的数个所述有源柱的底部连接在一起。
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