福建兆元光电有限公司齐佳鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种DBR倒装芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211711557.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种DBR倒装芯片的制造方法是由齐佳鹏;李慧敏;张帆;钟伟华;林武;李景浩;李家昌设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DBR倒装芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种DBR倒装芯片的制造方法。该制造方法，先在衬底上依次生长出氮化镓基的N型半导体层、多量子阱层，以及P型半导体层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层、Mesa台阶面，同步光刻并刻蚀Mesa切割道和ISO切割道，再依次制备得到电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层。该制造方法将Mesa切割道和ISO切割道一同光刻，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO透明导电层的面积。
本发明授权一种DBR倒装芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种DBR倒装芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底上依次生长出氮化镓基的N型半导体层、多量子阱层，以及P型半导体层； S2：在P型半导体层表面沉积一层SiO2； S3：通过第一次光刻和BOE腐蚀制作电流阻挡层和第一套刻，S4：在电流阻挡层的上方蒸镀一层ITO层； S5：第二次光刻后得到Mesa开孔图形与剩余工序所需套刻； S6：先使用ITO蚀刻液进行腐蚀，再刻蚀得到Mesa台阶面； S7：第三次光刻得到Mesa切割道图形和ISO切割道图形； S8：先使用ITO蚀刻液进行腐蚀，再刻蚀得到Mesa切割道和ISO切割道； S9：通过蒸镀在N型半导体层和P型半导体层的裸露部分形成电流扩展层； S10：通过蒸镀以及刻蚀在P型半导体层的上方形成DBR反射层； S11：蒸镀P型焊盘和N型焊盘得到金属电极焊盘层，并注入DBR刻蚀孔与电流扩展层连接导通。
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