深圳大学周晔获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种光电突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211640178.3，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种光电突触器件及其制备方法是由周晔;陈雪;韩素婷设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电突触器件及其制备方法，方法包括，提供表面沉积有介电层的硅基衬底；在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层；提供辅助膜；在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述沟道的敞口处设置有沟道层，所述沟道层包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述源极和所述漏极相接，所述第二侧面设置有二维隧穿层；将所述辅助膜叠放在所述钙钛矿量子点层上，使所述二维隧穿层与所述钙钛矿量子点层贴合,得到光电突触器件。该方案避免了光刻过程中水氧的影响，同时，转移辅助膜可以进一步保护钙钛矿量子点。
本发明授权一种光电突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电突触器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供表面沉积有介电层的硅基衬底； 在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层； 提供辅助膜； 在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道； 在所述沟道的敞口处设置有沟道层，所述沟道层包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述源极和所述漏极相接，所述第二侧面设置有二维隧穿层； 将所述辅助膜叠放在所述钙钛矿量子点层上，使所述二维隧穿层与所述钙钛矿量子点层贴合,得到光电突触器件，包括： 通过转移辅助膜将金属电极、二维沟道层及二维隧穿层直接转移到旋涂有钙钛矿量子点的背栅衬底上，得到基于钙钛矿量子点浮栅的二维材料晶体管型光电突触器件。
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