本源科仪(成都)科技有限公司李舒啸获国家专利权
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龙图腾网获悉本源科仪(成都)科技有限公司申请的专利芯片版图刻蚀结构的三维建模方法、系统、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116167326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310320876.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权芯片版图刻蚀结构的三维建模方法、系统、介质及设备是由李舒啸设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片版图刻蚀结构的三维建模方法、系统、介质及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片版图刻蚀结构的三维建模方法、系统、介质及设备。芯片版图刻蚀结构的三维建模方法包括：确定芯片版图的建模区域，并获取芯片版图上位于建模区域内的第一图形，第一图形用于定义出刻蚀的形状；确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域；在三维空间中确定基准面，在基准面上以特征区域为底面构建第一厚度的刻蚀图块。本发明可以解决现有技术中二维版图不能满足三维尺度分析的问题，能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。
本发明授权芯片版图刻蚀结构的三维建模方法、系统、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片版图刻蚀结构的三维建模方法，其特征在于，包括： 确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第一图形，所述第一图形用于定义出刻蚀的形状，所述芯片版图上还具有位于建模区域内且与所述第一图形部分重叠的第二图形，所述第二图形用于定义出沉积的形状； 确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域； 在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的刻蚀图块； 获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第二图形； 确定所述第二图形与所述第一图形的重叠区域和非重叠区域； 在所述基准面上以所述重叠区域为底面构建第二厚度的第一沉积图块、以所述非重叠区域为底面构建所述第二厚度的第二沉积图块； 根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第一沉积图块放置于所述基准面上，将所述第二沉积图块放置于所述刻蚀图块上。
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