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龙图腾网获悉基迈克材料科技(苏州)有限公司申请的专利半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116214668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310285141.1，技术领域涉及：B28B1/00；该发明授权半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法是由曹珍;柳雨生;陈勇设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法，其技术方案要点是：包括以下步骤：选择净含量99.99%、中位径90μm、颗粒级配为80‑180μm的窄粒度分布的高纯氧化铝造粒粉进行成型；先把定制好的橡胶套模具套在钢制模具上使其过盈配合，并用刚箍紧固放在振动平台上进行粉料填充，采用不间断边振动边填充的方式进行填充，填充饱满后放入橡胶塞并用胶带使其密封，之后插入真空管抽真空，拔出真空管后立即插入密封管然后用密封胶带封牢，把成型好的生坯放进等静压下进行压制，把成型好的生坯检查外观及尺寸后按生坯图纸进行机加；本发明选用窄粒径分布球形粉料可保证生坯的填充性及均匀性，保证晶粒均匀长大致密性高。

本发明授权半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体大尺寸刻蚀腔体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 选择净含量99.99%、中位径90μm、颗粒级配为80‑180μm的窄粒度分布的高纯氧化铝造粒粉进行成型；先把定制好的橡胶套模具套在钢制模具上使其过盈配合，并用刚箍紧固放在振动平台上进行粉料填充，采用不间断边振动边填充的方式进行填充，填充饱满后放入橡胶塞并用胶带使其密封，之后插入真空管抽真空，拔出真空管后立即插入密封管然后用密封胶带封牢，把成型好的生坯放进等静压下进行压制，把成型好的生坯检查外观及尺寸后按生坯图纸进行机加； 对于大型异性件的装放方式采用坐烧的方式，采用坯体下加装V型垫片及薄平面垫片的方式进行装放烧结，水平薄垫片放置空心球保证腔体的平整度和防止烧结收缩受阻并保证其坯体的整体性能及形位；把大垫片用φ5mm空心球调节固定使其在水平状态，然后把机加好的V型垫片放入调节水平，在每个V型顶端四周用刚玉砂围住以防止空心球滑落，放置生坯检查完毕后升入电阻炉内，打开开关输入烧结曲线启动运行； 在每个所述V型顶端四周用刚玉砂围住以防止空心球滑落时，放入φ2μm的空心球并调节水平状态，然后把机加好的薄垫片依同样的方式放入空心球并调节水平状态； 选择两步烧结法进行常压烧结，将排胶后的生坯依一定的升温速率升到最高温度T1并适当保温，使坯体剩余气孔处于亚稳定状态，接着快速降温到T2进行保温，使晶界扩散正常进行。

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