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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利包括嵌入阻焊层中的互连件的衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180067007.3，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括嵌入阻焊层中的互连件的衬底是由方堃;J·杨;S·黄;卫洪博设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括嵌入阻焊层中的互连件的衬底在说明书摘要公布了：一种衬底，包括：芯层；至少一个第一电介质层，位于该芯层的第一表面之上；至少一个第二电介质层，位于该芯层的第二表面之上；多个第一互连件，位于该至少一个第一电介质层的表面之上；多个第二互连件，位于该至少一个第一电介质层的该表面之上；多个第三互连件，位于该至少一个第一电介质层的该表面之上；以及阻焊层，位于该至少一个第二电介质层的该表面之上。该多个第三互连件和该多个第二互连件与该多个第一互连件共面。该阻焊层包括第一部分、第二部分和第三部分。

本发明授权包括嵌入阻焊层中的互连件的衬底在权利要求书中公布了：1.一种衬底，包括： 芯层，包括第一表面和第二表面； 至少一个第一电介质层，耦合到所述芯层的所述第一表面； 至少一个第二电介质层，耦合到所述芯层的所述第二表面； 多个第一互连件，位于所述至少一个第一电介质层的表面之上，其中所述多个第一互连件包括第一表面粗糙度； 多个第二互连件，位于所述至少一个第一电介质层的所述表面之上，其中所述多个第二互连件包括大于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度；以及多个第三互连件，位于所述至少一个第一电介质层的、与所述多个第一互连件所在的相同的所述表面之上，其中所述多个第三互连件耦合到所述多个第一互连件，并且其中所述多个第一互连件和所述多个第三互连件位于所述衬底的集成器件逃逸部分中； 其中所述多个第一互连件中的互连件具有第一最小宽度和第一最小间隔，所述多个第二互连件中的互连件具有第二最小宽度和第二最小间隔，并且所述第二最小宽度大于所述第一最小宽度，所述第二最小间隔大于所述第一最小间隔，或者所述第二最小宽度大于所述第一最小宽度并且所述第二最小间隔大于所述第一最小间隔；以及阻焊层，位于所述至少一个第一电介质层的所述表面之上，所述阻焊层包括第一部分、第二部分和第三部分，其中所述阻焊层的接触所述多个第一互连件的所述第一部分包括第一厚度，所述第一厚度小于所述多个第一互连件的厚度，其中所述阻焊层的接触所述多个第二互连件的所述第二部分包括第二厚度，所述第二厚度大于所述多个第二互连件的厚度，并且其中所述阻焊层的所述第三部分位于所述多个第三互连件中的每个第三互连件的顶表面和侧表面之上。

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