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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储装置的布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111571043.1，技术领域涉及：G11C11/41；该发明授权半导体存储装置的布局是由曾俊砚;郭有策;王淑如;黄俊宪;余欣炽;庄孟屏;黄莉萍;陈玉芳设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置的布局在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储装置的布局，包括基底以及三元内容可寻址存储器。三元内容可寻址存储器设置在基底上并包括多个三元内容可寻址存储器位单元，且其中至少两个沿着一对称轴呈镜像对称，其中各三元内容可寻址存储器位单元包括分别电连接至两条字线的两个存储单元，以及电连接至该些存储单元的逻辑电路。逻辑电路包括两个第一读取晶体管，以及两个第二读取晶体管，各第二读取晶体管包括栅极以及两个源极漏极区，第二读取晶体管的源极漏极区分别电连接至两条匹配线以及第一读取晶体管，其中，字线平行地设置于匹配线之间。

本发明授权半导体存储装置的布局在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的布局，其特征在于，包括： 基底； 三元内容可寻址存储器，设置在该基底上，该三元内容可寻址存储器中包括多个三元内容可寻址存储器单元，该些三元内容可寻址存储器单元中至少两个沿着对称轴呈镜像对称，其中各该三元内容可寻址存储器单元包括： 两个存储单元，分别电连接至两条字线，各该存储单元包括： 第一反相器，包括输入端以及输出端； 第二反相器，包括输入端以及输出端，该第二反相器的该输出端电连接该第一反相器的该输入端； 第一晶体管，包括栅极以及两个源极漏极区，该第一晶体管的该些源极漏极区分别电连接至该第一反相器的该输出端以及第一位线；以及第二晶体管，包括栅极以及两个源极漏极区，该第二晶体管的该些源极漏极区分别电连接至该第二反相器的该输入端以及第二位线，并且该第二晶体管以及该第一晶体管的该些栅极电连接至该些字线之一； 逻辑电路，电连接至该些存储单元，各该逻辑电路包括： 两个第一读取晶体管；以及两个第二读取晶体管，各该第二读取晶体管包括栅极以及两个源极漏极区，该些第二读取晶体管的该些源极漏极区分别电连接至两条匹配线以及该些第一读取晶体管，其中，该些字线平行地设置于该些匹配线之间，各该第一读取晶体管包括栅极以及两个源极漏极区，各该第一读取晶体管的该栅极电连接至搜寻线，且各该第二读取晶体管的该栅极电连接至该第一反相器的该输入端；以及多个第一插塞，设置在该些第一晶体管的该些源极漏极区与该栅极上，以及设置在该些第一读取晶体管与该些第二读取晶体管的该些源极漏极区上； 第一金属层，设置在该些第一插塞上以电连接该些第一插塞，其中，该第一金属层的第一部分设置在该第二晶体管的该栅极上，该第一金属层的该第一部分从该第一晶体管的该栅极上方延伸到该些第二读取晶体管之一的该栅极上方，并且，该第一金属层的第二部分设置在该些第一读取晶体管的该些源极漏极区上； 多个第二插塞，设置在该第一金属层上以电连接该些第二插塞； 第二金属层，设置在该些第二插塞上以电连接该些第二插塞； 多个第三插塞，设置在该第二金属层上，以电连接该第二金属层；以及第三金属层，设置在该些第三插塞上以电连接该些第三插塞，其中，该第三金属层包括该些字线以及该些匹配线。

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