苏州晶方半导体科技股份有限公司徐远灏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利芯片绝缘层的制作方法及晶圆绝缘层的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310306333.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权芯片绝缘层的制作方法及晶圆绝缘层的制作方法是由徐远灏;杜鹏;刘小广;张廷设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片绝缘层的制作方法及晶圆绝缘层的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片绝缘层的制作方法以及晶圆绝缘层的制作方法，所述芯片上形成有槽孔，芯片绝缘层的制作方法包括：提供丝网，所述丝网上形成有遮挡部；将所述丝网铺设于所述芯片表面，所述遮挡部至少部分覆盖所述槽孔；将绝缘层材料通过所述丝网印刷于所述芯片表面；撤去所述丝网，使所述绝缘层材料沿所述槽孔内壁滑落并至少覆盖所述槽孔的部分内表面；固化所述绝缘层材料形成绝缘层。本发明的芯片绝缘层的制作方法，其能够减少芯片封装制程中槽孔内的绝缘层材料的量，减少由于槽孔内绝缘层材料过多引起的芯片翘曲问题。
本发明授权芯片绝缘层的制作方法及晶圆绝缘层的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片绝缘层的制作方法，所述芯片上形成有槽孔，其特征在于，包括： 提供丝网，所述丝网上形成有遮挡部； 将所述丝网铺设于所述芯片表面，所述遮挡部至少部分覆盖所述槽孔； 将绝缘层材料通过所述丝网印刷于所述芯片表面； 撤去所述丝网，使所述绝缘层材料沿所述槽孔内壁滑落并至少覆盖所述槽孔的部分内表面； 固化所述绝缘层材料形成绝缘层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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