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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低功耗RC张弛振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310294575.8，技术领域涉及：H03B5/04；该发明授权一种低功耗RC张弛振荡器是由李泽宏;李勇;段锦泽;苏明明;王宁;叶约汉;倪静静设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗RC张弛振荡器在说明书摘要公布了：本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种低功耗RC张弛振荡器。包括自偏置电流源、充放电电路、正阈值迟滞比较器以及两级限流反相器，自偏置电流源产生与电源电压无关的电流，充放电电路镜像自偏置电流源电流，受输出信号QA和输出信号QB的控制，对电容进行充放电，该电容两端的电压分别为正阈值迟滞比较器的输出电压，在电容的充放电过程中受输出信号QA的控制，通过改变输入对管的个数实现翻转阈值的改变。两级限流反相器产生输出信号QA和输出信号QB，并通过镜像自偏置电流源的电流来限制反相器在对负载电容充放电的过程中直接通路消耗的平均电流。低功耗RC张弛振荡器输出频率为30KHz，占空比为50％，平均功耗为149nA，频率表达式仅与电阻和电容有关。

本发明授权一种低功耗RC张弛振荡器在权利要求书中公布了：1.一种低功耗RC张弛振荡器，其特征在于，包括自偏置电流源、充放电电路、正阈值迟滞比较器以及两级限流反相器； 所述自偏置电流源包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4，第五PMOS管MP5，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3，第一电阻R1； 第一PMOS管MP1栅极、第一PMOS管MP1漏极、第二PMOS管MP2栅极、第三PMOS管MP3栅极、第三PMOS管MP3源极共同连接到第一NMOS管MN1栅极，第一PMOS管MP1源极、第二PMOS管MP2源极、第四PMOS管MP4源极、第五PMOS管MP5源极共同连接到电源AVDD上，第二PMOS管MP2漏极、第五PMOS管MP5漏极、第三NMOS管MN3栅极、第三NMOS管MN3漏极共同连接到第二NMOS管MN2栅极，第三PMOS管MP3漏极、第一NMOS管MN1源极、第一NMOS管MN1漏极、第三NMOS管MN3源极、第一电阻R1的一端共同连接到参考地AGND，第四PMOS管MP4栅极、第四PMOS管MP4漏极、第五PMOS管MP5栅极共同连接到第二NMOS管MN2漏极，第二NMOS管源极与第一电阻R1的另一端相连；第四PMOS管MP4的栅极电压定义为电压Vbp，第三NMOS管MN3的栅极电压定义为电压Vbn； 所述充放电电路包括第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8，第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2； 第六PMOS管MP6栅极与电压Vbp相连，其源极与电源AVDD相连，漏极与第七PMOS管MP7源极、第八PMOS管MP8源极相连，第七PMOS管MP7栅极接信号QB，其漏极与第四NMOS管MN4漏极、第一电容C1的一端相连，第八PMOS管MP8栅极接信号QA，其漏极与第二电阻R2的一端、第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端相连，第四NMOS管MN4栅极接信号QB，其源极与第五NMOS管MN5漏极相连，第五NMOS管MN5栅极与电压Vbn相连，其源极与参考地AGND相连，第六NMOS管MN6栅极、第六NMOS管MN6漏极与第二电阻R2的另一端相连，其源极与第二电容C2的另一端共同连接到参考地AGND；将第一电容C1与第七PMOS管MP7漏极相连接的一端电压定义为Vn，另一端电压定义为Vp； 所述正阈值迟滞比较器电路包括第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12； 第九PMOS管MP9源极、第十PMOS管MP10源极、第十一PMOS管MP11源极共同连接到电源AVDD，第九PMOS管MP9栅极、第十PMOS管MP10栅极、第九PMOS管MP9漏极共同连接到第八NMOS管MN8漏极，第十PMOS管MP10漏极、第十一PMOS管MP11栅极、第十一NMOS管MN11漏极共同连接到第九NMOS管MN9漏极，第十一PMOS管MP11漏极与第十二NMOS管MN12漏极相连，第八NMOS管MN8栅极与电压Vn相连，其源极与第九NMOS管MN9源极、第十NMOS管MN10源极共同连接到第七NMOS管MN7的漏极，第九NMOS管MN9栅极、第十NMOS管MN10栅极共同连接到电压Vp，第十NMOS管MN10漏极与第十一NMOS管MN11源极相连，第十一NMOS管MN11栅极接信号QA，第七NMOS管MN7栅极、第十二NMOS管MN12栅极共同连接到电压Vbn，第七NMOS管MN7源极、第十二NMOS管MN12源极共同连接到参考地AGND；将第十NMOS管MN10漏极电压定义为V1，第十一PMOS管MP11漏极电压定义为V2； 所述两级限流反相器包括第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第一反相器INV1、第二反相器INV2； 第十二PMOS管MP12栅极、第十三PMOS管MP13栅极共同连接到电压Vbp，第十二PMOS管MP12源极、第十三PMOS管MP13源极共同连接到电源AVDD，第十二PMOS管MP12漏极与第一反相器INV1的VDD相连，第十二PMOS管MP13漏极与第二反相器INV2的VDD相连，第十三NMOS管MN13栅极、第十四NMOS管MN14栅极共同连接到电压Vbn，第十三NMOS管MN13源极、第十四NMOS管MN14源极共同连接到参考地AGND，第十三NMOS管MN13漏极与第一反相器INV1的VSS相连，第十四NMOS管MN14漏极与第二反相器INV2的VSS相连；第一反相器INV1的输入端与电压V2相连，输出端与第二反相器INV2的输入端相连；第一反相器INV1的输出定义为QB，第二反相器INV2的输出定义为QA。

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