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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利低电位反馈的比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116318085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310333690.1，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权低电位反馈的比较器是由谢雨桥;张志军设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本低电位反馈的比较器在说明书摘要公布了：本发明提供一种低电位反馈的比较器，包括前置放大级电路，前置放大级电路用于放大第一、二输入信号；比较器电路，比较器电路用于接收第一、二输入信号进行电压比较，从而输出第一、二输出信号；反馈模块，反馈模块用于接收第一、二输出信号的扰动信号，产生第一、二反馈信号反馈于第一、二输出信号，使得原为L或X状态的第一、二输出信号的电位拉低。本发明的比较器通过把低电位反馈的比较器的差分输出输入到反馈模块并输出低电位反馈回低电位反馈的比较器的差分输出端。当存在足够大的正向或负向电压扰动时，反馈模块会产生输出响应，并拉低原状态为X或L的差分输出端的电位，稳定比较器的状态。

本发明授权低电位反馈的比较器在权利要求书中公布了：1.一种低电位反馈的比较器，其特征在于，包括： 前置放大级电路，所述前置放大级电路用于放大第一、二输入信号； 比较器电路，所述比较器电路用于接收第一、二输入信号进行电压比较，从而输出第一、二输出信号； 反馈模块，所述反馈模块用于接收第一、二输出信号的扰动信号，产生第一、二反馈信号反馈于第一、二输出信号，使得原为L或X状态的第一、二输出信号的电位拉低； 其中， 当所述比较器为P型差分对时，所述反馈模块包括第八PMOS、第九PMOS、第十PMOS、第十一NMOS、第十二NMOS、第十三NMOS、第十四NMOS和逻辑模块； 所述第九PMOS的漏极与第十一NMOS的漏极连接，第十PMOS的漏极与第十二NMOS的漏极连接； 所述第十一NMOS的栅极与所述比较器电路的第一输出端连接，所述第十二NMOS的栅极与所述比较器电路的第二输出端连接； 所述逻辑模块的第一输入端、第二输入端分别与第九PMOS和第十一NMOS的漏极、第十PMOS和第十二NMOS的漏极连接，所述逻辑模块的第一输出端、第二输出端分别与第十三NMOS的栅极、第十四NMOS的栅极连接； 所述第十三NMOS的漏极与所述比较器电路的第二输出端连接，所述第十四NMOS的漏极与所述比较器电路的第一输出端连接； 或者，当所述比较器为N型差分对时，所述反馈模块包括第八NMOS、第九NMOS、第十NMOS、第十一PMOS、第十二PMOS、第十三NMOS、第十四NMOS和逻辑模块； 所述第九NMOS的漏极与第十一PMOS的漏极连接，第十NMOS的漏极与第十二PMOS的漏极连接； 所述第十一PMOS的栅极与所述比较器电路的第一输出端连接，所述第十二PMOS的栅极与所述比较器电路的第二输出端连接； 所述逻辑模块的第一输入端、第二输入端分别与第九NMOS和第十一PMOS的漏极、第十NMOS和第十二PMOS的漏极连接，所述逻辑模块的第一输出端、第二输出端分别与第十三NMOS的栅极、第十四NMOS的栅极连接； 所述第十三NMOS的漏极与所述比较器电路的第二输出端连接，所述第十四NMOS的漏极与所述比较器电路的第一输出端连接。

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