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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利半导体器件的制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111556751.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件是由蒋天浩设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底以及离子屏蔽层的第一预备基底以及包括依次层叠的牺牲衬底、顶层硅以及氧化层的第二预备基底；然后，以离子屏蔽层以及氧化层作为键合界面，对第一预备基底以及第二预备基底进行键合，并去除牺牲衬底，使得顶层硅裸露；之后，在基底的裸露表面上分别形成间隔设置的第一预备器件以及第二器件，且第一预备器件两侧的氧化层裸露；最后，去除第一预备器件两侧部分的氧化层以及部分的离子屏蔽层，以使得第一预备器件两侧的衬底裸露，得到第一器件。通过形成间隔设置的第一器件以及第二器件，保证了半导体器件的集成度较高，实现了缩小器件尺寸的目的。

本发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供第一预备基底以及第二预备基底，所述第一预备基底包括衬底以及离子屏蔽层，所述第二预备基底包括依次层叠的牺牲衬底、顶层硅以及氧化层； 以所述离子屏蔽层以及所述氧化层作为键合界面，对所述第一预备基底以及所述第二预备基底进行键合，并去除所述牺牲衬底，使得所述顶层硅裸露； 在所述顶层硅的部分裸露表面上形成栅氧层； 在所述顶层硅的部分裸露表面上形成第一预备栅极，并且在所述栅氧层的部分裸露表面上形成第二栅极； 去除所述第一预备栅极两侧的所述顶层硅，使得所述第一预备栅极两侧的所述氧化层裸露，剩余的所述第一预备栅极以及所述顶层硅形成第一栅极； 在所述第一栅极两侧的所述衬底中形成第一掺杂区，得到第一预备器件，且在所述第二栅极两侧的所述顶层硅中形成第二掺杂区，得到第二器件，所述第一预备器件以及所述第二器件间隔设置，且所述第一预备器件两侧的所述氧化层裸露； 去除所述第一预备器件两侧部分的所述氧化层以及部分的所述离子屏蔽层，以使得所述第一预备器件两侧的所述衬底裸露，得到第一器件。

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