中南大学曹鑫鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310385542.4，技术领域涉及：H01M4/58；该发明授权高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料及其制备方法和应用是由曹鑫鑫;周一帆;方国赵;梁叔全设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料，其化学式为Na3V2‑yM1,M2,M3…MnyPO43，其中0＜y≤0.5，M1,M2,M3…Mn为激活V元素高价态氧化还原的过渡金属元素，其选择为Al、Cr、Mn、Fe、Zn、Ga、In中的至少五种。本发明提供的高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料，可实现其本征电导率和能量密度协同提升，并可实现钠离子电池良好的循环性能。本发明还提供一种高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料的制备方法及应用。
本发明授权高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料，其特征在于，其化学式为Na3V2‑yM1,M2,M3…MnyPO43，其中0＜y≤0.5，M1, M2, M3…Mn为激活V元素高价态氧化还原的过渡金属元素，其选择为Al、Cr、Mn、Fe、Zn、Ga、In中的至少五种，进行高熵掺杂； 所述高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料由如下方法制备得到： 步骤S1，将钠源、钒源、过渡金属源、磷源按一定的摩尔质量比混合，并加入适量的分散介质进行球磨，得到前驱体；所述分散介质为石蜡、棕榈蜡、硬脂酸或司班中的一种； 步骤S2，将步骤S1获得的前驱体干燥脱水； 步骤S3，在惰性气体保护条件下，将步骤S2得到的干燥前驱体进行焙烧，然后冷却至室温，获得高熵掺杂NASICON型钠离子电池正极材料；其中焙烧工艺是：升温速率为2‑10 ℃ min‑1，煅烧温度为650‑850℃，保温时间为6‑10h。
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