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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326473.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法是由伍思昕;金晓亮设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法，包括以下步骤：步骤S1：在全芯片版图中查找出可能存在的非角落的所有CD突变点；步骤S2：计算影响所有所述CD突变点的光强的局部版图加权密度最大的方向以及所述方向的加权密度相对值，并计算表示所述CD突变点周围的局部版图分散度指标值；步骤S3：根据所述CD突变点所在位置的图形版图的CD、局部版图加权密度最大的方向、所述加权密度相对值和分散度指标值挑选光刻测试图形，以提取出的光刻测试图形非常适合用于OPC模型准确度的验证以及OPCrecipe有效性的验证，还可以为后期芯片良率的提升扫清一部分障碍。

本发明授权一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法在权利要求书中公布了：1.一种从全芯片版图中提取光刻测试图形的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在全芯片版图中查找出可能存在的非角落的所有CD突变点，其中，查找非角落的CD突变点的方法包括：提供全芯片版图；创建OPC光学模型，并利用所述OPC光学模型对所述全芯片版图做仿真，以得到全芯片轮廓；设定角边径的尺寸，并以每个图形版图的顶角为中心，以所述角边径为半径，排除该半径范围内的图形版图边和图形轮廓部分，并计算剩下的图形轮廓相对于各自非角落边的斜率分布，以找到斜率极值点作为非角落的CD突变点； 步骤S2：计算影响所有所述非角落的CD突变点的光强的局部版图加权密度最大的方向以及所述方向的加权密度相对值，并计算表示所述非角落的CD突变点周围的局部版图分散度指标值，其中，计算局部版图加权密度最大的方向和加权密度相对值的方法包括：以每个所述非角落的CD突变点为中心，截取周围方形区域的局部版图；以每个所述非角落的CD突变点为原点，对所述局部版图进行采样，以得到采集点；利用所述OPC光学模型计算出与所述局部版图上的图形版图重合的采样点对原点处光强的贡献分量作为向量的模，并以从原点到采样点的方向作为向量的方向，从而得到所述采样点对应的向量；将所述局部版图内的所有向量相加，以得到向量和，其中，所述向量和的方向为指向所述局部版图加权密度最大的方向，所述向量和的大小代表所述向量和的方向在局部版图中加权密度高于其他方向的程度；计算分散度指标值的方法包括：根据所述向量和得到向量和的模，计算所述局部版图的加权密度最大的方向在所述局部版图中加权密度高于其他方向的程度； 步骤S3：根据所述非角落的CD突变点所在位置的图形版图的CD、局部版图加权密度最大的方向、所述加权密度相对值和分散度指标值挑选光刻测试图形。

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