钢铁研究总院有限公司罗曦获国家专利权
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龙图腾网获悉钢铁研究总院有限公司申请的专利一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310391653.6，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法是由罗曦;张敬霖;于一鹏;卢凤双;李海鹏;刘派;张建生;张建福;祁焱设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体薄膜材料技术领域，特别涉及一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素为非磁性过渡金属M，为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1。本发明以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术PLD，制得具有室温铁磁性的InO基稀磁半导体薄膜。本发明的PLD技术可向InO晶格中掺入高比例的过渡金属离子，并通过控制沉积条件引入大量的晶格缺陷，从而诱导出高于室温的铁磁性薄膜材料，可应用于自旋电子器件。
本发明授权一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，其特征在于：该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素M为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1； 该薄膜采用如下步骤制备：采用等静压固相反应合成工艺制备In2‑xMxO3陶瓷靶材—激光脉冲沉积制备薄膜，所述激光脉冲沉积过程中，激光的功率为100～300mJ，膜的厚度控制为30～100nm，氧分压PO2在10‑3～10‑8torr之间；饱和磁化强度随氧分压的下降而升高；通过提高掺杂浓度，降低氧分压，使掺杂剂趋于聚集在薄膜和基片的介面区域，制备出过渡金属元素掺杂的DMS，并具有室温铁磁性如下： 所述半导体薄膜的室温饱和磁化强度MS为2～14emucm3。
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