买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种随机神经元电路及其放电模式提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116542303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310285476.3，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种随机神经元电路及其放电模式提取方法是由刘琦;杨悦;张续猛;刘明设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种随机神经元电路及其放电模式提取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种随机神经元电路及其放电模式提取方法，基于阈值转变器件、电阻及电容构建了一种神经元电路，基于该电路实现了神经元的脉冲发射特性。相比于其他基于阈值转变器件的神经元电路，该神经元电路能够实现在固定参数下的不同放电模式的转换，且由于神经元的随机性，电路输出的模式切换具有概率转变行为，有利于构建高阶智能类脑系统。同时，本发明利用H‑H神经元本身的积分和共振特性对前神经元的概率输出进行模式提取，利用单峰检测神经元回路的共振特性提取中间神经元回路的单峰输出，利用双峰检测神经元回路的积分特性提取中间神经元回路的双峰输出，从而完成信息的多路复用编码与解码的计算过程。

本发明授权一种随机神经元电路及其放电模式提取方法在权利要求书中公布了：1.一种随机神经元电路，其特征在于，包括第一支路、第二支路、电阻、电阻及电容； 所述第一支路包括直流偏置的阈值转变忆阻器，所述第二支路包括直流偏置的阈值转变忆阻器； 所述电阻一端与所述第一支路相连，另一端作为输入端； 所述电阻一端与所述第一支路相连，另一端与所述第二支路相连； 所述第一支路不与电阻相连的一端接地；所述第二支路与电阻相连的一端作为输出端，不与电阻相连的一端接地； 所述阈值转变忆阻器及阈值转变忆阻器的制备包括以下步骤： 在硅片上氧化形成SiO2层； 在所述SiO2层上沉积底电极； 在所述底电极上淀积阈值转变层； 在所述阈值转变层上淀积顶电极； 所述底电极的厚度为10nm~100nm，底电极包括使用TiN、Poly‑Si、Pd、W、Pt或Au制成的底电极； 所述阈值转变层的厚度为5nm~50nm，阈值转变层使用具有易失性阈值转变特性的材料进行沉积； 所述顶电极的厚度为10nm~100nm，顶电极包括使用TiN、Poly‑Si、Pd、Pt、W、Cu、Ag或Au制成的顶电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。