福建兆元光电有限公司马昆旺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310452672.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法是由马昆旺;唐乐星;邹声斌;贺卫群;刘恒山设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件以及半导体显示制造领域，尤其涉及一种GaN基MiniLED外延结构及制备方法。该制备方法，生长有源区多量子阱层时，设定反应腔的温度为800～950℃、阱垒温差为100～150℃，交替生长势阱层和势垒层；生长所述势阱层时，反应腔的压力为100～190Tor、转速为300～500rmin、载气为H2；生长所述势垒层时，反应腔的压力为200～400Tor,转速为600～700rmin。该制备方法采用慢速长阱快速长垒的方法生长有源区多量子阱层，可有效缓解斯塔克效应，减少应力并提高了发光效率。
本发明授权一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基Mini LED外延结构的制备方法，其特征在于，生长有源区多量子阱层时，设定反应腔的温度为800~950℃、阱垒温差为100~150℃，交替生长势阱层和势垒层； 生长所述势阱层时，反应腔的压力为100~190Torr、转速为300~500 rmin、载气为H2；生长所述势垒层时，反应腔的压力为200~400Torr, 转速为600~700 rmin； 所述势阱层为GaNInx1Ga1－x1NInx2Ga1－x2NGaN，厚度为5~10nm；所述势垒层为GaNAly1Ga1－y1N，厚度为5~15nm； 所述势阱层中Inx2Ga1－x2N的厚度为1~3.5nm； 所述有源区多量子阱层包括1~10组势阱层和势垒层组成的叠层； 所述势垒层采用Si掺杂GaN； x1含量和x2含量通过温度、压力和转速进行调整，通过量子阱分段生长结构和温度调整In含量的设计，能够降低阱垒失配，从而缓解斯塔克效应，减少位错，提升发光效率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建兆元光电有限公司，其通讯地址为：350000 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励