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龙图腾网获悉莱斯能特(苏州)科技有限公司申请的专利MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116750711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310954945.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法是由薛维佳;王兴阳设计研发完成，并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，方法包括：在基底的正、背面分别设置氮化硅层；在基底正面的氮化硅层上形成硅支撑层；在硅支撑层正面的指定区域形成槽阵列；利用热氧化法对槽阵列进行氧化填充，使指定区域全部热氧化形成氧化硅层；在氧化硅层上溅射金属层，形成上下游桥电阻和发热电阻；在硅支撑层正面的非指定区域溅射金属层，形成环境电阻，非指定区域位于指定区域的两侧；在金属层上沉积钝化保护层；将基底背面的氮化硅层的中间区域进行光刻及刻蚀，对基底从其背面进行腐蚀，腐蚀自停止于基底正面的氮化硅层的底部，从而形成悬空膜结构。本发明通过优化控制膜区厚度提高了机械强度，防止膜区变形或破裂。

本发明授权MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS热膜式流量传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括： 在基底的正面和背面分别设置一层氮化硅层； 在基底正面的氮化硅层上采用硅外延生长方法形成硅支撑层； 在所述硅支撑层正面的指定区域利用光刻和刻蚀形成槽阵列，且槽的底面连通所述氮化硅层； 利用热氧化法对所述槽阵列进行氧化填充，使所述指定区域全部热氧化形成氧化硅层； 在所述氧化硅层上溅射金属层，并利用光刻和刻蚀形成图形，对金属图形进行合金化形成上下游桥电阻和发热电阻；在所述硅支撑层正面的非指定区域溅射金属层，并利用光刻和刻蚀形成图形，对金属图形进行合金化形成环境电阻，所述非指定区域位于所述指定区域的两侧； 在金属层上沉积钝化保护层，并通过光刻和刻蚀形成PAD窗口； 将基底背面的氮化硅层的中间区域进行光刻及刻蚀，漏出基底，对基底从其背面进行腐蚀，形成背腔，腐蚀自停止于所述基底正面的氮化硅层的底部，从而形成悬空膜结构； 所述槽阵列中，各槽等间距分布，每个槽的截面呈上大下小的梯形，且梯形的靠近其上侧的底角为 86°～89°；相邻两个槽之间的最大间距小于等于1μm，每个槽的最大宽度不大于1μm，槽的深度即为所述硅支撑层的厚度；槽的投影面形状为多边形、圆形或异形。

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