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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种基于GaN基外延的红光LED制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310709748.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种基于GaN基外延的红光LED制造方法是由张帆设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaN基外延的红光LED制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaN基外延的红光LED制造方法，在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片，衬底具备绝缘性；发光部分为GaN，其工作电压与蓝绿光的工作电压一致，便于红光LED与蓝绿光LED组合使用时进行电路设计；按照预设角度对外延缓冲层和外延片进行刻蚀，得到氮化镓聚焦层，在衬底侧壁制备黑化层，能够减少侧面漏光比例，并且通过氮化镓聚焦层能够使蓝光聚焦，从而减少蓝光发射到侧壁黑化层的比例，提高出光效率；将红光转换物质涂覆在黑化层外以及衬底远离外延片的一端，能够将蓝光转换为红光，从而得到红光LED芯片，提高了红光LED的整体性能，且便于红光LED与蓝绿光LED组合使用。

本发明授权一种基于GaN基外延的红光LED制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN基外延的红光LED制造方法，其特征在于，包括步骤： 在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片； 按照预设角度对所述外延片以及位于所述衬底与所述外延片之间的外延缓冲层进行刻蚀，得到氮化镓聚焦层； 根据所述氮化镓聚焦层的形状，在所述氮化镓聚焦层远离所述衬底的一端制备反射聚焦层，具体为蒸镀二氧化硅和氧化钛交替组成的分布式布拉格反射镜； 分割所述芯片，并在所述衬底的侧壁制备黑化层； 将红光转换物质涂覆在所述黑化层外以及所述衬底远离所述外延片的一端，形成转换层，得到红光LED芯片； 在所述氮化镓聚焦层远离所述衬底的一端蒸镀二氧化硅和氧化钛交替组成的反射聚焦层之后包括： 在所述反射聚焦层远离所述氮化镓聚焦层的一端，按照预设材料顺序进行蒸镀，得到电极包覆防漏光层，并将所述电极包覆防漏光层作为与基板焊接时的接触电极； 所述按照预设材料顺序进行蒸镀包括： 顺序蒸镀厚度为0.1~1nm的铬、厚度为100~500nm的铝、厚度为10~300nm的钛、厚度为100~500nm的铝、厚度为10~300nm的钛、厚度为100~500nm的铝、厚度为10~200nm的铬、厚度为10~300nm的钛、厚度为10~900nm的镍以及厚度为10~500nm的金。

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