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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED外延片的补长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116885050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310643073.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED外延片的补长方法是由马野;宋水燕;马昆旺;刘恒山设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延片的补长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED外延工艺技术领域，具体涉及一种LED外延片的补长方法。该补长方法，包括以下步骤：S1：将生长中断后的外延片放入反应腔，反应腔升温至750～850℃，同时通入100～140s的氮气，并通入MO源；S2：设定反应时间为5～8s，反应腔的压力为100～250Toor，温度为1050～1150℃，TMGa通量为800～1000sccm，SiH4通量为150～300sccm；S3：设定反应时间为10～16s，反应腔的压力为100～250Toor，温度为1050～1150℃，TMGa通量为800～1000sccm；S4：重复S2和S3的步骤7～10次，形成超薄n型GaN层；S5：进行多量子阱层以及多量子阱层后的外延结构生长。该补长方法通过在宕机位置所处的外延层生长一层超薄nGaN来重新建立n节基础，在该基础上进行后续外延各层的生长，回复外延层性能，提高外延片良率。

本发明授权一种LED外延片的补长方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片的补长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将生长中断后的外延片放入反应腔，反应腔升温至750～850℃，同时通入100～140s的氮气，并通入MO源； S2：设定反应时间为5～8s，反应腔的压力为100～250Torr，温度为1050～1150℃，TMGa通量为800～1000sccm，SiH4通量为150～300sccm； S3：设定反应时间为10～16s，反应腔的压力为100～250Torr，温度为1050～1150℃，TMGa通量为800～1000sccm； S4：重复S2和S3的步骤7～10次，形成超薄n型GaN层； S5：进行多量子阱层以及多量子阱层后的外延结构生长。

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