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龙图腾网获悉天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)申请的专利具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211462027.3，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层及其制备是由范其香;张硕;郭明璐;吴正环;王铁钢;曹凤婷设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层及其制备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有纳米晶非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN复合涂层及其制备。该涂层采用脉冲直流磁控溅射和射频直流磁控溅射复合技术沉积而成，靶材选用AlCrTi合金靶与单质Si靶。合金靶与直流电源连接，单质Si靶与射频电源连接。镀膜时开启AlCrTi合金靶，调整偏压至‑20～150V并将真空室压强调至0.3～1.0Pa，沉积AlCrTi过渡层，沉积时间10～30min。保持AlCrTi开启并通入反应气体N2，开启Si靶沉积AlCrTiSiN纳米复合涂层。本发明研制的AlCrTiSiN纳米复合涂层制备工艺简单，成分可控，可重复性好，易于工业化生产，具有很强的实用性。

本发明授权具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层及其制备在权利要求书中公布了：1.一种具有纳米晶非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层，其特征在于：该纳米复合涂层是由Si掺杂到AlCrTiN涂层中获得，Si掺杂量为0.1～10.56at.％；其中：Si掺杂量为0.1～4at％时该纳米复合涂层为面心立方相与非晶相复合结构，Si掺杂量高于4at％时该纳米复合涂层完全为非晶状态； 所述AlCrTiSiN纳米复合涂层沉积于304不锈钢片、单晶Si片或硬质合金基体上，基体与所述AlCrTiSiN纳米复合涂层之间还沉积有AlCrTi过渡层； 所述AlCrTiSiN纳米复合涂层中：Al含量为21～26at％，N含量为55～57at％，Cr含量为7～9at％，Ti含量为5～6at％，Si含量为0.1～10.56at％；涂层中各元素原子百分比之和为100％； 采用脉冲直流磁控溅射和射频直流磁控溅射复合技术在基体上沉积具有良好抗高温氧化性能和力学性能的AlCrTiSiN纳米复合涂层；该AlCrTiSiN纳米复合涂层制备方法具体包括如下步骤： 1将待沉积基体样片依次固定在转架上，放入炉内并关闭炉门，其中靶材与试样距离为50～300mm； 2采用机械泵与分子泵进行抽真空，待真空度达到5×10‑4以上，打开加热电阻加热至200～400℃；当炉内温度达到200～400℃且真空度再次达到5×10‑4Pa以上时，通入Ar气，设置Ar气流量为30～100sccm，调整节流阀使真空室压强保持在0.8～2Pa，随后施加偏压‑200～‑800V，对试样进行辉光清洗，清洗时间10～30min； 3在辉光清洗结束后，调整偏压至‑20～150V并将真空室压强调至0.3～1Pa，开启直流电源，设置AlCrTi合金靶的靶功率为50～200W，沉积AlCrTi过渡层，沉积时间10～30min； 4保持AlCrTi合金靶的靶功率为50～200W和真空室压强为0.3～1Pa，通入N2气，N2气流量为10～60sccm，N2Ar比为15～3，调整偏压至‑20～150V，开启与射频电源连接的单质Si靶，Si靶功率为5～150W，沉积时间120～300min。

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