上海应用技术大学周琼获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种CrAlTaN多层梯度涂层及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116988009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310843324.0,技术领域涉及:C23C14/06;该发明授权一种CrAlTaN多层梯度涂层及其制备方法与应用是由周琼;王涛;黄彪;张而耕;陈强;梁丹丹设计研发完成,并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CrAlTaN多层梯度涂层及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种CrAlTaN多层梯度涂层及其制备方法与应用,涂层包括自内至外依次沉积在基体表面的CrN打底层、CrAlN过渡层、TaAlN层和CrAlTaN表面膜层;具体方法包括如下步骤:1基体表面预处理;2制备CrN打底层;3制备CrAlN过渡层;4制备TaAlN层;5制备CrAlTaN表面膜层;CrN打底层、CrAlN过渡层、TaAlN层和CrAlTaN表面膜层的总体厚度为1.8‑2.6μm;CrN打底层的厚度为0.4‑0.6μm,CrAlN过渡层的厚度为0.3‑0.5μm,TiCrN过渡层的厚度为0.3‑0.5μm,CrAlTaN表面膜层的厚度为0.8‑1μm;与现有技术相比,本发明通过层之间梯度叠加的方法使层之间的热膨胀系数差较小,涂层间的内应力变小,不仅增强了涂层与基体间的结合力而且让各层间的结合强度进一步提升。
本发明授权一种CrAlTaN多层梯度涂层及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种CrAlTaN多层梯度涂层,其特征在于,包括采用物理气相沉积技术依次沉积在基体表面的CrN打底层、CrAlN过渡层、TaAlN层和CrAlTaN表面膜层; 所述CrN打底层、CrAlN过渡层、TaAlN层和CrAlTaN表面膜层的总体厚度为1.8‑2.6μm; 所述CrN打底层的厚度为0.4‑0.6μm,所述CrAlN过渡层的厚度为0.3‑0.5μm,所述TaAlN层的厚度为0.3‑0.5μm,所述CrAlTaN表面膜层的厚度为0.8‑1μm。
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