株式会社EGTM金荷娜获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社EGTM申请的专利沉积薄膜的方法及存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310523477.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权沉积薄膜的方法及存储装置的制造方法是由金荷娜;郑主焕;曹圭镐;金才玟;徐德炫;韩智娟;郑玹姝设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积薄膜的方法及存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：沉积薄膜的方法包括：将前驱体供应至置有腔体内部以吸附到基板上；净化腔体内部；及将反应物质供应至腔体内部而与前驱体反应形成薄膜且填充缝隙部，混合1～5摩尔的化学式1或化学式2表示的化合物和1～5摩尔的金属化合物形成前驱体，其中，X是O或S，R1或R2各自独立地从具有1～8个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，其中，X是O或S，n是1～5，R1～R4各自独立地从氢原子、具有1～5个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择。
本发明授权沉积薄膜的方法及存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积薄膜的方法，该方法包括： 混合1～5摩尔的由下面的化学式1或下面的化学式2表示的化合物和1～5摩尔的金属化合物来制备加合物前驱体的步骤； 将所述加合物前驱体供应至置有包含至少一个缝隙部的基板的腔体内部，从而所述加合物前驱体被吸附到所述基板上的步骤； 净化所述腔体内部的步骤；及将反应物质供应至所述腔体的内部，从而所述反应物质与所述加合物前驱体反应而形成薄膜且填充所述缝隙部的步骤，化学式1 其中，X是O或S，R1或R2各自独立地从具有1～3个碳原子的烷基中选择，化学式2 其中，X是O，n是3或4，R1～R4各自独立地从氢原子、具有1～3个碳原子的烷基中选择。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社EGTM，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区新院路304, 3-303(远泉洞，灵通伊诺普莱克斯)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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