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龙图腾网获悉大连东软信息学院申请的专利基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117151182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311296322.0，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件是由王森;山丹;李鹤楠;李佳起;何俊杨设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件在说明书摘要公布了：本发明公开了基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件，包括在水平方向和垂直方向上均匀分布的一定数量的CNN细胞，所述CNN细胞包括固定层、隧道层、自由层、自旋轨道耦合层以及沟道层，前四层构成一个磁隧道结，固定层、隧道层、自由层、自旋轨道耦合层以及沟道层以自上而下的顺序进行堆叠，隧道层、自旋轨道耦合层以及沟道层均与水平方向平行，固定层和自由层与水平方向呈一定夹角，固定层和自由层的材质为纳磁体，自旋轨道耦合层的材质为具有自旋霍尔效应的材料，沟道层的材质为金属，隧道层的材质为金属氧化物，每个CNN细胞的磁隧道结均与电压源和电流源相连。本发明具有结构简单，版图面积小、降低功耗等优点。

本发明授权基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件在权利要求书中公布了：1.基于自旋霍尔效应和自旋转矩效应的细胞神经网络硬件，其特征在于，包括在水平方向和垂直方向上均匀分布的一定数量的CNN细胞，所述CNN细胞包括固定层、隧道层、自由层、自旋轨道耦合层以及沟道层，固定层、隧道层、自由层以及自旋轨道耦合层构成一个磁隧道结，固定层、隧道层、自由层、自旋轨道耦合层以及沟道层以自上而下的顺序进行堆叠，所隧道层、自旋轨道耦合层以及沟道层均与水平方向平行，固定层和自由层与水平方向呈一定夹角，所述夹角的范围为0度到90度，固定层和自由层的材质为纳磁体，自旋轨道耦合层的材质为具有自旋霍尔效应的材料，沟道层的材质为金属，隧道层的材质为金属氧化物，每个CNN细胞通过的沟道层与相邻的四个CNN细胞相连，所述相邻的四个CNN细胞中心的CNN细胞均作为中心神经元，每个CNN细胞的磁隧道结均与电压源和电流源相连； 所述中心神经元的磁体层的磁化方向根据公式2表示，2其中，为电子回旋磁比，为真空磁导率，为磁材料的Gilbert阻尼系数，表示细胞中自由层磁体所受到的总有效场，是细胞中自由层磁体的磁矩，用来作为细胞的状态变量，为自旋轨道矩系数，为固定层磁矩的磁化方向，为磁隧道结中的自旋转移矩系数，为从细胞流入到细胞中的电流，为细胞中自旋轨道耦合层的横截面积。

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