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龙图腾网获悉深圳市博敏电子有限公司申请的专利一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117165903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310776067.3，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法是由董世轩;王强;邹冠生;周大伟设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法，通过磁控溅射钽靶材在铁氧体基片表面沉积形成负载层，然后通过二次溅射，过程中将铁氧体基片平面旋转180°，前后二次溅射时间比例为2:3进行溅射，可以使均匀度达到90％以上，从而极大提升氮化钽薄膜在铁氧体基片上的均匀性。与现有技术相比，本发明所提出的方法能够较大程度地提高氮化钽薄膜均匀性和膜层质量，且操作简单、成本低、一致性高，适合批量生产。

本发明授权一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将铁氧体基片安装在工艺室的板架上； S2、对工艺室进行加热、抽真空处理； S3、先向工艺室中通入流量为200‑160sccm的氩气，然后控制射频电源功率保持150W，对铁氧体基片进行等离子清洗2min； S4、先向工艺室中通入流量为20sccm的氩气，然后开启脉冲电源功率保持100‑150W，对靶材进行烧靶操作； S5、先向工艺室中通入流量为20sccm的氩气，接着开启600‑650W的脉冲电源，持续溅射2min的钽在铁氧体基片表面沉积形成负载打底钽层；在铁氧体基片上溅射完毕形成打底钽层后，通入氩气和氮气，其中氩气通入流量50sccm，氮气通入流量5sccm，持续通入2‑3min，然后打开400‑450W的脉冲电源，待电源输出稳定后再打开靶材挡板进行第一次溅射，对铁氧体基片进行第一次氮化钽薄膜制备； S6、待铁氧体基片冷却后，在原板架安装平面方向基础上将铁氧体基片取出旋转180°后再次安装在板架上； S7、重复步骤S2‑S4，然后向工艺室中持续2‑3min通入流量为50sccm的氩气和流量为5sccm的氮气，接着打开400‑450W的脉冲电源，待电源输出稳定后再打开靶材挡板进行第二次溅射，对铁氧体基片进行第二次氮化钽薄膜制备。

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